Els investigadors van proposar reduir la pèrdua de reflexió fresnel a la interfície de material de xip/encapsulació en el con d'escapament de fotons fixos per millorar la transmissió de la llum generada a l'interior del xip LED a la interfície de material de xip/encapsulació LED. El canvi més petit.
Els estudis han demostrat que en condicions de longitud d'ona d'emissió màxima, la transmissió de llum a la interfície d'un típic xip LED / material d'encapsulació pot augmentar fins a un 99%, mentre que és només un 84% sota incidència normal. Aquesta solució pot millorar la transmissió de llum en el con d'escapament del fotó en tot l'espectre d'emissions LED, que no només redueix el consum d'energia, sinó que també millora la vida del LED reduint la calor generada per reflexos innecessaris dins del xip.
Els investigadors creuen que aquesta solució s'espera que sigui fàcil d'utilitzar i aplicar a la tecnologia d'equips de semiconductors existents, i també es pot utilitzar de forma independent o en combinació amb altres mètodes per reduir la pèrdua d'angle crític dels LED.
S'ha informat que aquesta recerca s'ha publicat a la revista "Light: Science & Application" al juliol. (Compilat per LEDinside Janice)
